光刻技術是將掩模版上的圖形，轉移到涂有光致抗蝕劑（或者稱光刻膠）的硅片上，通過一系列的生產步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉移技術。主要用于制造半導體元件，印刷板，印刷電路板，液晶顯示面板，等離子顯示面板等。

根據曝光方式的不同，光刻機也主要分為接觸式，接近式以及投影式3種。

接觸式光刻機是最簡單的光刻機，其優點是設備簡單，分辨率高，沒有衍射效應。而缺點是掩模版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會在晶圓片和掩模版上產生缺陷，降低掩模版的使用壽命，成品率比較低，不適合大規模的生產。

接近式的光刻機掩模版與光刻膠間隔10~50μm，所以缺陷大大減少，優點是避免晶圓片與掩模直接接觸，缺陷少，缺點是分辨率下降，存在衍射的效應。

如今硅片光學曝光最主要的方法是投影式曝光，這種方法有接觸式的分辨率，但不產生缺陷。

光刻設備主要采用的是汞燈作為曝光光源， 光源的波長對提高分辨率非常重要,利用UV能量計對固化光源的強度和能量進行檢測，防止紫外線強度過高對分辨率產生重大影響。這也就是光刻曝光技術需要UV能量計參與的原因。

林上的UV能量計LS120和LS130都是高壓汞燈固化專用的檢測儀器。

UV能量計LS120可以檢測紫外線燈的能量，功率和溫度，還具有功率曲線和溫度曲線圖顯示。

而UV能量計LS130則可以檢測紫外線燈的能量和功率，具有功率曲線，還可以統計功率最大值，采用耐高溫設計，可長時間運行在100攝氏度的環境中。